徐光明
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郭宇锋
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花婷婷
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徐跃
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吉新春
功能材料与器件学报
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键.本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因；然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理；而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点；最后对未来技术的发展进行了展望.
关键词:
LDMOS
,
超薄SOI
,
界面电荷
,
低k介质
,
纵向耐压
