郑海务
,
苏剑峰
,
王科范
,
李银丽
,
顾玉宗
,
傅竹西
功能材料
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.
关键词:
Si
,
6H-SiC
,
化学气相沉积
,
微结构
苏剑峰
,
牛强
,
唐春娟
,
王昶清
,
张永胜
材料导报
为了开发清洁新能源,太阳能电池成为人们研究的热点.简要介绍了第三代太阳电池的发展现状,阐述了叠层电池、中间带太阳电池、热载流子太阳电池等第三代太阳能电池的设计原理,分析了各种新概念太阳能电池在发展中存在的问题和未来发展的方向.
关键词:
第三代太阳能电池
,
叠层电池
,
中间带
苏剑峰
,
郑海务
,
林碧霞
,
朱俊杰
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
关键词:
无机非金属材料
,
LPMOCVD
,
3C-SiC
,
p-Si(111)衬底
郑海务
,
苏剑峰
,
顾玉宗
,
张杨
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.01.006
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
关键词:
无机非金属材料
,
6H-SiC薄膜
,
低压CVD
,
蓝宝石
,
微结构
唐春娟
,
杨慧琴
,
张永胜
,
苏剑峰
材料研究学报
通过调控水和乙二胺溶液的组份控制产物的形貌和结构,制备了铋纳米线和铋纳米片,研究了组份变化对产物形貌结构的影响,并依此提出了乙二胺模板效应以及由乙二胺引起的从动力学向热力学转换控制晶体生长的生长机制.铋纳米线的体膨胀系数随着温度的升高减小,并在一转变温度(455℃左右,低于块体的转变温度)变为负值.
关键词:
半金属材料
,
铋纳米线
,
铋纳米片
,
模板效应
,
体膨胀系数
