苏春燕
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陈永亮
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周大进
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王小峰
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李平原
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崔雅静
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赵勇
稀有金属材料与工程
采用固相反应法,制备出一系列SmCo1-xFexAsO (x=0,0.05,0.1,0.2)多晶样品.XRD测试结果表明所有样品均为单相,且具有ZrCuSiAs型四方结构,随着掺杂量的增加,晶格参数a逐渐减小,c逐渐增加.磁性测量结果表明,低掺杂量样品在5 ～ 300 K之间先后经历了反铁磁-铁磁-顺磁的磁性转变,低场下的M-T曲线表现出明显的不可逆性,且随着掺杂量的增加,反铁磁转变温度降低,铁磁转变温度向高温方向移动,表明样品的反铁磁性逐渐被抑制,而铁磁性逐渐增强.M-H曲线表明,在反铁磁转变温度以下,掺杂量x＜0.2的样品,随着磁场的增加发生了由反铁磁到铁磁性的变磁性转变,且随着掺杂量的增加,在同一温度下的转变磁场变小.在掺杂量x=0.2时,当温度降低到5K时仍没有观察到变磁性转变,在掺杂量x=0.2附近可能存在变磁性临界终点.
关键词:
SmCoAsO
,
Fe掺杂
,
ZrCuSiAs四方结构
,
磁性质
郑冬梅
,
王宗篪
,
苏春燕
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016
在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
杂质
,
束缚能
