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碳纳米管场致发射平面背光源

游玉香 , 苏艺菁 , 叶芸 , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014

通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.

关键词: 碳纳米管 , 背光源 , 电泳 , 场致发射

基于CNT-Ni丝状阴极的场发射荧光灯

苏艺菁 , 游玉香 , 胡利勤 , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.029

采用电泳法在金属镍(Ni)丝表面沉积碳纳米管(CNT)材料,制备成CNT-Ni丝状阴极,并在圆柱形玻璃灯管中对其进行二极结构的场发射性能测试.结果表明,CNT材料呈网状结构均匀平铺于Ni丝表面,CNT-Ni丝状阴极具有良好的场发射性能,开启场强为0.82 V/μm;当阳压为3 400 V时,电流为2.3 mA,发光亮度达到7 500 cd/m2;阳压为4 000 V时,丝状阴极场发射电流连续测试10 h变化不大.

关键词: 碳纳米管 , 丝状阴极 , 场发射荧光灯

衬底电极对SnO_2纳米材料场发射性能的影响

王灵婕 , 林金阳 , 苏艺菁 , 游玉香 , 郭太良

功能材料

采用高温气相氧化法分别在Si、Au、Cr和不锈钢等不同的衬底上生长氧化锡(SnO2)纳米材料,并对SnO2的表面形貌进行表征和场致发射性能测试。研究结果表明,以Si、Au、Cr、不锈钢为衬底,其场致发射的开启电场分别为3.6、2.3、2.45、1.7V/μm。不锈钢衬底电极SnO2阴极的场致发射性能最好,硅衬底电极SnO2阴极的场发射能力最差。

关键词: 氧化锡 , 场发射 , 纳米材料

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