澜清
,
周大勇
,
孔云川
,
边历峰
,
苗振华
,
江德生
,
牛智川
,
封松林
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.009
通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰. 通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成.
关键词:
InAs自组织量子点
,
循环生长
,
分子束外延
,
1.55μm波长
孔云川
,
周大勇
,
澜清
,
刘金龙
,
苗振华
,
封松林
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.008
用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光.实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射.这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法.
关键词:
量子点
,
电致发光
,
发光二极管
,
能态填充效应
孙彦
,
方志丹
,
龚政
,
苗振华
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
关键词:
量子点
,
应力缓冲层
,
半高宽
,
光致荧光谱
