陶琨
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何向军
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江海
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范玉殿
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李恒德
材料研究学报
采用中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,在单晶Al2O3(0001)基片上沉积Mo膜,在GaAS(001)基片12合成Fe16N2薄膜用HREM等研究了Mo膜-Al2O3(0001)、Fe16N2膜-GaAs(001)界面的显微结构结果表明:Mo膜的晶粒呈细小性状或纤维状,晶粒平均尺寸约8nm,Fe16N2薄膜为等轴晶,晶粒平均尺寸约为10nm,在Mo膜-Al2O3(0001)界面及Fe16N2薄膜-GaAs(001)界面处存在厚10～15nm的由基片原子及膜层原子组成的非晶过渡层在过渡层与薄膜界面处存在台阶,增加了薄膜的形核点,薄膜的致密度较高。
关键词:
离子束辅助沉积(IBAD)
,
null
,
null
王晨
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杨杰
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范玉殿
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陶琨
材料研究学报
利用电子枪蒸镀Al_2O_3,同时辅以Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备Al_2O_3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al_2O_3晶态薄膜,而PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。
关键词:
离子束辅助沉积
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γ-Al_2O_3
,
thin film
