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掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

葛水兵 , 程珊华 , 宁兆元 , 沈明荣 , 甘肇强 , 周咏东 , 褚君浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010

用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.

关键词: 脉冲激光沉积 , ZnO膜 , 掺杂比

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

葛水兵 , 程珊华 , 宁兆元 , 沈明荣

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022

利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.

关键词: 脉冲激光沉积 , ZnO膜 , 掺杂比 , 氧分压

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究

朱卫东 , 郑分刚 , 沈明荣 , 甘肇强 , 葛水兵

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.021

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x<0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1小时的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x<0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜相对介电常数则随着La的增加而增加.

关键词: 溶胶-凝胶 , PLT薄膜

BaTiO3/SrTiO3多层膜的制备及其介电性质

葛水兵 , 宁兆元

功能材料

采用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaTiO3/SrTiO3 (BTO/STO)多层膜.XRD结果表明:多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0.5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平.室温下频率为10kHz时,BTO/STO(n=6)多层膜的相对介电常数为506,而介电损耗仅为0.033.薄膜的C-V特性研究表明:多层膜呈现出较好的电容调谐度.

关键词: 多层膜 , 介电性质 , 脉冲激光沉积

Pb1- xLaxTiO3薄膜的制备及介电性质的研究

朱卫东 , 葛水兵 , 沈明荣 , 宁兆元

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.017

在 Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 Pb1-xLaxTiO3薄膜 ,对膜进行 XRD、 SEM、介电、铁电性能测试 , 研究了退火温度、掺 La量对薄膜性能的影响 , 结果发现在 600℃下退火 1h的 PLT薄膜呈现钙钛矿结构 , 具有 (100)面择优取向 . 在摩尔比 x≤ 0.2的范围内 , 薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着掺 La量的增加而降低 , 而其相对介电常数和介质损耗却随着掺 La量的增加而增加 .

关键词: 溶胶-凝胶 , PLT薄膜

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及特性研究

郑分刚 , 朱卫东 , 沈明荣 , 甘肇强 , 葛水兵

功能材料

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加.

关键词: 溶胶-凝胶 , PLT薄膜 , 研究

高K栅介质材料的研究现状与前景

余涛 , 吴雪梅 , 诸葛兰剑 , 葛水兵

材料导报

论述了45~32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较Hfo2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题.针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用.

关键词: 高K栅介质 , HfO2 , Hf基高K栅介质材料 , MOSFET器件

渗透汽化膜表面结构对分离过程的影响

张可达 , 徐冬梅 , 张雪梅 , 程珊华 , 宁兆元 , 葛水兵

高分子材料科学与工程

用低温氧等离子体处理聚乙烯膜,被处理的膜通过红外、表面接触角、电子扫描显微镜、元素分析等手段证明在其表面形成了多量的羟基、羰基和羧基等含氧基团.当将这种处理膜的处理面对着原料液(UPE)、处理面对着低压侧(DPE)及原始膜(PE)分别用来渗透汽化分离乙醇-水混合物,发现PE膜为优先透醇膜.UPE渗透汽化产物的醇浓度下降,透量增加,并且透过速率对原料液浓度曲线呈反S形.DPE膜则完全变成了优先透水膜,并且透过速率明显下降,说明渗透汽化膜表面的结构及组成对渗透汽化过程予以重大的影响,膜的上表面主要发生溶解,下表面则对被分离物予以强有力的扩散控制.

关键词: 氧等离子体 , 聚乙烯 , 渗透汽化膜

ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究

葛水兵 , 程珊华 , 宁兆元

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.019

利用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0.75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透光率(在波长大于500nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0Pa(不充氧)、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.

关键词: 脉冲激光沉积 , ZnO膜 , 掺杂比 , 氧分压强

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