吴雪梅
,
董业民
,
诸葛兰剑
,
叶春暖
,
汤乃云
,
俞跃辉
,
宁兆元
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.
关键词:
薄膜
,
结构
,
光吸收
董业民
,
叶春暖
,
汤乃云
,
陈静
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
王曦
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.
关键词:
锗纳米镶嵌薄膜
,
电致发光
,
发光机制
陈静
,
王湘
,
董业民
,
郑志宏
,
陈猛
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.002
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料.测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析.结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关.
关键词:
低剂量注水
,
注入能量
,
SOI结构
诸葛兰剑
,
吴雪梅
,
董业民
,
孙建平
,
姚伟国
功能材料
本实验通过球磨α-Fe和脲的混合粉末,制得α'-Fe(N)超细粉末,N原子含量为8.8%(原子分数),饱和磁化强度σ3为242.7emu/g.样品经160℃真空退火4h,α-Fe'(N)相部分转变为α″-Fe16N2相,此时样品的饱和磁化强度σ3提高到252.0emu/g,样品中α″-Fe16N2相含量约21%(质量分数),其σ3为287.0emu/g.热分析表明,在150～200℃,α'-Fe(N)相转变为α″-Fe16N2相.
关键词:
球磨
,
α'-Fe16(N)相
,
α″-Fe16N2相
,
超细粉末
