薛成山
,
董志华
,
庄惠照
,
王书运
,
高海永
,
田德恒
,
吴玉新
稀有金属材料与工程
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较.实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.
关键词:
射频磁控溅射
,
自组装
,
中间层
,
SiC
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
曹文田
,
庄惠照
,
董志华
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412 nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合.
关键词:
GaN薄膜
,
荧光光谱
,
带边发射
,
辐射复合
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
王书运
,
何建廷
,
董志华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
关键词:
GaN纳米管
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
氮化
陈春梅
,
陈登福
,
董志华
,
龙木军
,
申嘉龙
,
徐松
钢铁
以某钢厂圆坯连铸机为研究对象，建立了连铸坯凝固传热模型。在不同拉速下对280 mm断面圆坯二次冷却过程进行仿真优化，确定了16MnNb钢合适的二冷制度。根据仿真结果，在最小工作拉速(0.9 m/min)下，矫直点处铸坯内弧表面中心温度为947℃，有效避开了铸坯的二次低延性区。在最大工作拉速(1.2 m/min)下，铸坯出结晶器时，其凝固坯壳厚度为19 mm，二冷初期产生漏钢等质量问题的可能性较小。不同拉速下，横断面温度场分布均匀。经低倍检测发现，铸坯表面及内部质量良好，无裂纹、疏松、缩孔等质量缺陷。
关键词:
圆坯连铸
,
二次冷却
,
16MnNb钢
,
仿真优化
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
董志华
稀有金属材料与工程
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响.
关键词:
氨化
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
挥发
,
射频磁控溅射
董志华
,
陈登福
,
龙木军
,
张星
,
申嘉龙
材料研究学报
采用Gleeble-1500D热/力模拟实验机进行拉伸实验,测试20CrMnTi钢650-1050℃温度范围柱状晶区内的应力-应变曲线、高温强度、硬化系数及热塑性,研究了铸坯各高温力学性能参量与取样位置的关系.结果表明,随着距铸坯表面距离的增加,铸坯抗拉强度降低,低温(650℃)下的硬化系数明显增大;750℃时,1#、2#和3#试样的断面收缩率均达到最低,约为60％;取样位置由1#试样变为3#试样时,铸坯裂纹敏感区宽度保持在150℃左右,温度区间整体向低温区移动约17℃.以1#试样为参考,矫直过程中的铸坯表面温度应控制在825℃以上.
关键词:
金属材料
,
高温力学性能
,
铸坯
,
20CrMnTi钢
,
柱状晶区
