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纳米FinFET器件的单粒子效应研究

刘保军 , 蔡理 , 董治光 , 徐国强

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.516

FinFET器件比主流CMOS技术表现出更多优势，如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性，基于ISE TCAD，考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响，建立了一种纳米FinFET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响，并探讨了其影响机制。基于此分析，找到了一些潜在的工艺加固技术，如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。

关键词: FinFET , 单粒子效应 , 仿真 , 加固技术