董琛
,
韩修训
,
孙文华
,
高欣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.015.003
GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配，并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求，因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难，主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低，难以实现均匀并入，由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展，介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性，分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题，讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上，对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。
关键词:
GaInAsN
,
外延生长
,
太阳能电池
