曹东
,
蒋向东
,
李大伟
,
孙继伟
材料导报
采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长.AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列.在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异.结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的.
关键词:
AZO
,
ZnO纳米线
,
溶液化学法
,
紫外光电导性能
蒋向东
,
张怀武
,
文歧业
,
张万里
,
唐晓莉
功能材料
采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.
关键词:
薄膜
,
软磁膜
,
纳米晶化
蒋向东
,
张怀武
,
文歧业
,
钟智勇
,
杨争
,
唐晓莉
功能材料
采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co85.5Nb8.9Zr5.6非晶合金软磁薄膜进行了变温和等温晶化动力学的研究.研究结果表明:升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82kJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51kJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.
关键词:
晶化动力学
,
纳米晶
,
软磁薄膜
杨文君
,
刘国柱
,
王继岷
,
蒋向东
,
陈晓西
材料导报
采用聚合物诱导相分离方法制备PDLC膜,主要研究了膜厚对PDLC膜电光特性的影响.结果表明,膜厚对PDLC中液晶微滴的尺寸与形状有很大影响,在一定范围内随着膜厚的增加,液晶微滴变得细小均匀,进而使液晶的阈值电压及饱和电压增加,但同时使液晶的下降时间缩短,有助于提高响应速度.
关键词:
聚合物分散液晶
,
膜厚
,
响应时间
,
电光特性
李大伟
,
蒋向东
,
谢康
,
曾东
材料导报
采用射频磁控溅射方法在ITO基片上外延掺Ag的ZnO薄膜,分别用XRD、SEM和紫外可见光分光光度计表征外延薄膜结构、形貌和光学性质.ZnO:Ag/ITO薄膜伏安特性的研究表明,ZnO:Ag与ITO形成异质结.在紫外光波长365nm、负偏压15V情况下异质结暗电流为11.2hA,光电流为198hA,灵敏度(光电流与暗电流之比)为17.7.此异质结的紫外光响应上升时间为700ms,下降时间为1.5s.
关键词:
ZnO掺Ag
,
射频磁控溅射
,
异质结
,
响应时间
