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高能球磨制备纳米级Al2O3/Al复合粉体过程中铝相晶粒尺寸和结构的变化

师巨亮 , 钱冬杰 , 刘淑凤 , 范翊 , 罗劲松 , 蒋大鹏 , 张立功

机械工程材料

利用X射线衍射仪分析了在高能球磨制备纳米Al2O3/Al混合粉体过程中,球磨时间和纳米Al2O3含量对铝相晶粒尺寸和晶格应变的影响.结果表明:在初期短时间的球磨中,微米铝粉的晶粒尺寸迅速细化到纳米级,但随着球磨时间的进一步延长,高能球磨为晶粒融合和再生长提供了能量,使铝晶粒沿着某些晶向有长大的趋势;当Al2O3体积分数较低(5%)时可促进铝粉的破碎,但高含量的Al2O3则对铝粉的球磨破碎不利.

关键词: 高能球磨 , 纳米Al2O3/Al复合粉 , X射线衍射

烧结温度对羟基磷灰石靶的影响

罗乐 , 蒋大鹏 , 赵读亮 , 严中亚 , 程光存 , 方晓东 , 陶汝华

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.02.015

为研究烧结温度对羟基磷灰石靶的影响规律,把纯度为99 % 的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形的靶后,在氩气中分别在600℃、700℃和800℃高温下进行烧结.用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对未烧结和在不同温度下烧结的羟基磷灰石靶进行检测.检测结果表明:烧结温度对羟基磷灰石靶的结晶度和组成元素没有显著影响.但是随着烧结温度的升高,羟基磷灰石靶的平均粒径和钙磷比值都增大.800℃高温烧结的羟基磷灰石靶具有更好的生物相容性、生物活性和稳定性.

关键词: 材料 , 羟基磷灰石靶 , 烧结温度 , 钙磷比 , 结晶度 , 平均粒径

高温烧结羟基磷灰石靶的细胞相容性

罗乐 , 赵读亮 , 蒋大鹏 , 严中亚 , 程光存 , 方晓东

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.03.018

为研究高温烧结羟基磷灰石靶的细胞相容性,把纯度为99%的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形靶,在氩气中于800℃高温下烧结成型.用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对羟基磷灰石靶的结构组成进行检测.用四氮唑盐比色法对羟基磷灰石靶的细胞相容性进行检测,检测结果表明:纯度为99%的羟基磷灰石粉末在压制成型和800℃高温烧结的过程中化学组成没有发生变化,羟基磷灰石靶中的平均粒径为78.2 nm,结晶度为89.4%,Ca/P比值为1.592;具有很好的细胞相容性.

关键词: 材料 , 羟基磷灰石靶 , 高温烧结 , 钙磷比 , 细胞相容性

衬底温度对机械瓣膜上沉积的类金刚石薄膜的影响

罗乐 , 蒋大鹏 , 赵读亮 , 严中亚 , 程光存 , 方晓东

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.04.018

为掌握机械瓣膜衬底温度对类金刚石薄膜的影响规律,在实验中保持其它实验参数不变,机械瓣膜衬底温度分别取室温和150℃时,用脉冲激光沉积法在机械瓣膜上制备类金刚石薄膜.用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌和粗糙度进行检测.结果表明:当其它实验参数不变时,机械瓣膜衬底温度从室温升高到150℃时,薄膜的微观结构没有发生明显改变;薄膜表面的粗糙度减小.类金刚石薄膜和机械瓣膜衬底之间具有很好的黏附性.

关键词: 材料 , 类金刚石薄膜 , 脉冲激光沉积法 , 衬底温度 , 微观结构 , 表面形貌

单晶6H-SiC纳米线的可控掺杂及光学特性

范翊 , 高凤梅 , 杨为佑 , 蒋大鹏 , 张立功

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.006

采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC).用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%, HRTEM显示晶格间距为0.26 nm和0.25 nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1∶1.拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100 meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大.

关键词: SiC , 有机前驱体 , 热裂解 , 纳米线 , 掺杂 , 光学性质

二乙炔类脂衍生物在气-液界面的单分子膜特性

范翊 , 李亚军 , 张立功 , 蒋大鹏

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2000.01.003

研究了10,12-二十五碳双炔酸与α-D-吡喃甘露糖苷-1-N-(3,6,9-三氧杂十一烷基)-p-10,12-二十五碳双炔的混合物在不同pH值及温度下的气-液界面的单分子膜特性. 研究结果表明,当pH在5.16~5.64之间,温度为14 ℃时,薄膜具有较好的稳定性.

关键词: 二乙炔衍生物 , 单分子膜性能

一种用于白光LED驱动电路的高性能带隙基准源

黄先 , 邓龙利 , 蒋大鹏

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.023

介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的用于白光LED驱动电路的温度补偿技术,详细分析了该带隙基准电路的工作原理,并采用HSPICE软件对运算放大器和带隙基准源进行仿真.该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,具有电路结构简单、温度特性好和电源抑制比高的特点.文章以理论公式的形式对整个模块的工作原理进行了分析,包括输出电压和输出电流,分析了失调电压对该电路的影响.从理论分析结果可以看出,该电路可以通过适当调节电阻之间的比例而得到温度特性好的输出电压和电流,以及输出可调的输出电压,还可以抑制失调噪声的影响.仿真结果表明,该电路的温度系数为2.8×10-5/K,电源抑制比在70 dB以上,运放的低频电压增益约为78 dB,电路功耗仅为0.05 mW.所有的参数结果均满足了设计的要求.该带隙基准电路还可应用于其他电源芯片中.

关键词: 温度补偿 , 带隙基准 , 温度系数 , 电源抑制比

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