杨宏顺
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蒋成颍
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许祥益
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孙成海
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柯少秦
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冷荣军
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阮可青
低温物理学报
研究了不同元素（Gd，Sin）掺杂和不同掺杂浓度的Nd1．85-xRxCe0．15CuO4±δ（R=Gd，Sm）单晶样品的X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和电阻率．X射线衍射结果表明掺杂没有杂质峰，且峰的半高宽度很小，说明两掺杂体系的单晶样品品质很好．两体系晶格常数C均随着掺杂量的增加而降低，其中Gd掺杂体系的降低速率明显大于Srn．对于Gd掺杂，随着掺杂量的增加红外光谱逐渐向高频移动，而Sm掺杂红外光谱峰位几乎保持不变．这表明用Gd取代Nd会使Cu-O键变短，而用Sm取代Nd后Cu-O键键长几乎不变．电阻率的测量结果发现随着掺杂量的增加两体系的超导转变温度Tc均被压制，载流子局域化效应均增强．而对于Gd掺杂，超导转变温度R被更强烈的压制，载流子局域化效应更强，这一现象与两掺杂体系的晶胞体积的变化情况一致，也可能与和费米面上电子态密度随掺杂量的改变有关．
关键词:
电子型高温超导体
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电子结构
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红外光谱
