金桂
,
蒋纯志
,
邓海明
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.
关键词:
射频磁控反应溅射
,
表面形貌
,
电击穿场强
蒋纯志
,
刘又文
,
谢超
复合材料学报
为了研究压电复合材料中位于基体的压电螺型位错与含共焦椭圆导电刚性核椭圆夹杂的电弹相互作用，基于复变函数方法，获得了基体和夹杂区域的精确级数形式解析解。运用广义Peach—Koehler公式，导出了作用在位错上像力的解析表达式。在此基础上讨论了椭圆刚性核和材料电弹特性对位错像力以及位错平衡位置的影响规律，同时讨论了压电夹杂和弹性基体的复合情况。结果表明：椭圆刚性核对位错有着明显的排斥作用，可以增强硬夹杂对位错的排斥，减弱软夹杂对位错的吸引；对于软夹杂，在界面附近位错存在一个不稳定的平衡位置；在基体和夹杂的界面上，像力迅速增大；当夹杂的剪切模量远小于基体时，界面附近不会出现位错的平衡位置。
关键词:
压电螺型位错
,
刚性核
,
复变函数方法
,
压电复合材料
,
椭圆夹杂
