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纳米氧化锌材料的最新研究和应用进展

张留成 , 蔡克峰

材料导报

综述了纳米氧化锌材料的表面修饰和改性、特殊形态纳米氧化锌材料的制备和性质、纳米氧化锌材料新的开发和应用前景等,指出了目前存在的一些问题和可能的发展趋势.

关键词: 氧化锌 , 表面修饰和改性 , 特殊形态

聚噻吩及其衍生物、聚噻吩基复合材料的导电性能研究进展

杜永 , 蔡克峰

材料导报

综述了聚噻吩及其衍生物的化学结构、制备、聚合机理、导电机理、导电性能和聚噻吩基复合材料的导电性能的研究进展.已有研究表明,纯的聚噻吩及其衍生物的电导率比较低,一般可通过掺杂来提高其电导率.同时由于聚噻吩及其衍生物具有高的Seebeck系数以及低的热导率,因此若将其与无机热电纳米材料复合,将有望制备出热电性能优良的有机/无机的纳米复合材料.

关键词: 聚噻吩 , 机理 , 电导率 , 热电性能 , 复合材料

纳米电缆的研究进展

雷强 , 蔡克峰

材料导报

纳米电缆主要包括内芯-外壳,分为半导体-绝缘体、金属-绝缘体、半导体-半导体3类.着重介绍了半导体-绝缘体纳米电缆的研究进展,并指出了目前纳米电缆研究中存在的问题,展望了未来发展方向.

关键词: 一维纳米结构 , 纳米电缆 , 制备 , 生长机理

AgPbmSbTem+2纳米粉末的水热合成、表征及无压烧结

严冲 , 蔡克峰

稀有金属材料与工程

以AgNO3、Pb(NO3)2、Sb(NO3)3和Te粉为原料,采用水热法成功合成了无规则形状和球形的AgPbmSbTem+2(LAST-m,m=10,12,14,16,18)系列纳米粉末.TEM和XRD分析表明,LAST-m粉末均呈NaCl型晶体结构,颗粒尺寸约为40 nm;选区电子衍射图分析表明LAST-m为单晶材料.以无规则粉末为例,采用无压烧结法制备了LAST-18的复合块体材料,并测试了其室温到473 K的热电性能.

关键词: 水热法 , AgPbmSbTem+2纳米粉末 , 无压烧结 , 热电性能

Ag掺杂CoSb_3材料的制备及其热电性能

王鑫 , 王玲 , 李晖 , 汪慧峰 , 蔡克峰

材料科学与工程学报

采用溶剂热合成再热处理方法制备了Ag_xCo_4Sb_(12)(x=0,0.1,0.2)粉末,粉末经真空熔融处理得到块体试样.用X射线衍射和扫描电镜分别分析了样品的物相和断面显微结构.测试了试样从室温至773K的电导率和Seebeck系数.Ag掺杂的试样Seebeck系数均是正的,呈p-型导电,而未掺杂的试样在T~325K时从n-型转变为p-型.Ag的引入使CoSb_3的电导率显著提高,在整个测试范围内其功率因子均比CoSb_3的高.而x=0.2的试样其电导率和热电功率因子较其它试样都高,在299K时电导率达到4516S·cm~(-1),573K时功率因子达到12.3×10~(-6)W·K~(-2)·cm~(-1).分析认为Ag是以替代Co的形式进入CoSb_3晶格,而并非如预计的那样进入CoSb_3的结构孔洞.

关键词: 方钴矿 , 热电性能 , 制备

表面活性剂对水热合成Bi2Te3纳米结构形貌的影响

安百俊 , 汪元元 , 杜永 , 蔡克峰

材料导报

以Bi(NO3)3·5H2O和TeO2为原料,KBH4为还原剂并外加适量表面活性剂,在180℃保温48h水热合成出Bi2Te3纳米粉末.采用X射线衍射分析了产物的相结构和成分.采用透射电镜观察了产物的形貌,结合产物的形貌与表面活性剂的特性讨论了不同表面活性剂对水热合成Bi2Te3形貌的影响,分析了不同纳米结构的形成机制.

关键词: Bi2Te3 , 表面活性剂 , 水热合成 , 热电材料

制备条件对Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3材料热电性能的影响

安百俊 , 杜永 , 秦臻 , 蔡克峰

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.058

采用水热法制备Bi2Te3/Sb2Te3纳米粉体并热压制备块体热电材料.用X射线衍射分析产物的相结构和成分,扫描显微镜与透射电镜观察产物的形貌.测量试样从室温到700K的塞贝克系数与电导率.实验结果表明,使用水热法制备了Bi2Te3与Sb2Te3纳米粉体,经热压后部分氧化.热压温度对于块体试样热电性能影响显著.

关键词: Bi2Te3 , Bi0.5 Sb1.5Te3 , 热压 , 热电性能

Yb_(14) MnSb_(11)单晶团簇的制备及其热电性能

汪慧峰 , 蔡克峰 , 宋莹 , 李晖 , 于德红

材料科学与工程学报

本文采用Sn助熔剂法制备了近似于Yb_(14)MnSb_(11)单晶的单晶团簇,并用X射线衍射、扫描电镜及能谱对其物相和结构进行表征,同时还讨论了单晶团簇的生长机理.从室温到773 K,单晶团簇的电阻率在室温下约为2~3 mohm·cm,且随着温度的增加而逐渐变大;在700 K以上,各试样间电阻率的偏差明显增大.另外,室温时Seebeck系数为45μV/K,并随着温度升高而增大,但温度高于~730 K后Seebeck系数迅速降低.这种Yb_(14)MnSb_(11)单晶团簇的电传输性能在高温时的突变认为是由于其内部夹杂的Sn引起的.

关键词: 津特尔相化合物 , 半导体 , 晶体生长 , 电传输 , 热电

一维碳化硅纳米材料的研究进展

张爱霞 , 蔡克峰

材料导报

介绍了具有一维纳米结构的碳化硅(SiC)如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法,着重介绍了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机理,并对这几种方法的优缺点进行了分析,指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向.

关键词: 一维纳米结构 , 碳化硅 , 制备 , 生长机理

一维氧化镓纳米材料研究进展

严冲 , 蔡克峰

材料导报

随着纳米材料制备技术和性能研究的发展,一维纳米材料日益受到人们的关注.简要介绍了一维氧化镓纳米材料的制备方法及其光致发光机理,并指出了当前研究过程中存在的问题和可能的发展方向.

关键词: 一维纳米材料 , 氧化镓 , 制备 , 光致发光

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