凌云
,
林殷茵
,
赖连章
,
乔保卫
,
赖云锋
,
冯洁
,
汤庭鳌
,
蔡炳初
,
功能材料
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系.
关键词:
非晶半导体
,
阈值电压
,
相变存储器
余晋岳
,
朱军
,
周狄
,
禹金强
,
俞爱斌
,
蔡炳初
,
魏福林
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.006
观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.
关键词:
磁性薄膜元件
,
反磁化
,
磁畴
,
Neel畴壁
禹金强
,
周勇
,
蔡炳初
,
赵小林
功能材料
研究了封闭式和开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜以及Cu/FeSiB/Cu多层膜中的巨磁阻抗效应.实验结果表明:多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大.改变外加磁场,封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中阻抗变化最大,开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜次之,而Cu/FeSiB/Cu多层膜中阻抗几乎不变.三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释:在封闭式多层膜内,磁路形成密封结构,使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少;在Cu/FeSiB/Cu多层膜中,上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零,外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化.对于封闭式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz到1MHz时就能够出现较大的阻抗变化比值,最大阻抗变化比值出现在3MHz.开放式FeSiB/Cu/FeSiB多层膜阻抗特性与封闭式类似,但比值只是封闭式多层膜的1/3.
关键词:
多层膜
,
巨磁阻抗效应
,
研究
余晋岳
,
朱军
,
周狄
,
钱建国
,
蔡炳初
,
赵小林
功能材料
详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程.观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源.
关键词:
磁性簿膜元件
,
磁化
,
反磁化
,
磁畴结构
禹金强
,
周勇
,
蔡炳初
,
徐东
功能材料
采用经典电磁理论,对铁磁层/导电层/铁磁层(M/C/M)多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析.对于单轴横向磁各向异性多层膜,理论计算结果表明:高频阻抗在某一外加磁场(近似等于等效各向异性场)下出现最大值,铁磁层和导电层电阻率相差较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应.多层膜在1MHz附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比.多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
多层膜
,
横向磁各向异性
袁振宇
,
徐东
,
刘毓舒
,
蔡炳初
稀有金属材料与工程
研究了原位加热溅射的NiTi形状记忆合金薄膜的结构,讨论了制备工艺及织构对薄膜相变特征的影响,采用电阻法及X射线衍射分析了薄膜的结构及相变过程,确定了最适合于微器件的溅射工艺.结果发现:溅射时采用原位加热可直接获得具有织构的晶化薄膜,提高溅射功率将使薄膜的相变温度升高.
关键词:
NiTi形状记忆合金薄膜
,
原位加热
,
织构
,
微驱动器
程秀兰
,
蔡炳初
,
徐东
,
王莉
功能材料
形状记忆合金(SMA)薄膜因其特有的形状记忆合金效应、超弹性行为以及薄膜材料所特有的优越性能,而在微机电系统中的微驱动器和微传感器方面极具应用潜力.本文主要介绍了以TiNi基合金为主的形状记忆合金薄膜在微驱动器和微传感器上的国内外应用性研究现状,并展望了其未来的发展趋势.
关键词:
形状记忆合金
,
形状记忆效应
,
超弹性
,
微机电系统
,
微驱动器
,
微传感器
钱开友
,
林仰魁
,
徐东
,
蔡炳初
,
孙卓
材料导报
场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位.目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位.阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望.
关键词:
场发射冷阴极
,
金刚石
,
类金刚石
,
碳纳米管
