蔡长龙
,
王季梅
,
弥谦
,
杭凌侠
,
严一心
,
徐均琪
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2002.06.009
薄膜沉积速率是影响薄膜性能的重要参数,研究它对于沉积优良的类金刚石薄膜具有重要的作用.针对脉冲真空电弧离子镀的具体工艺参数,研究了各种工艺参数对类金刚石薄膜沉积速率的影响,找出了影响类金刚石薄膜沉积速率的主要参数,得到了各种工艺参数下类金刚石薄膜沉积速率的曲线.
关键词:
脉冲电弧
,
沉积速率
,
类金刚石薄膜
王天宇
,
蔡长龙
,
牛小玲
,
纪红芬
,
刘卫国
材料导报
采用Langmuir-Blodgett (LB)技术制备了胆甾醇辛酸酯超薄膜,并且得出了最佳的制膜条件.在溶液质量浓度为3 mg/mL,表面压为55 mN/m,拉膜方式为垂直提拉法,LB膜类型为Y型膜,拉膜速度为1 mm/min时,得到了形貌致密均匀的胆甾醇辛酸酯超薄膜.利用原子力显微镜(AFM)和旋光测试系统对制备的超薄膜进行研究,测试了胆甾醇辛酸酯超薄膜的热光性能.结果表明,所制备的胆甾醇辛酸酯超薄膜具有良好的热旋光性能.
关键词:
胆甾相液晶
,
超薄膜
,
LB技术
,
热旋光性能
李军利
,
刘卫国
,
周顺
,
蔡长龙
表面技术
为得到具有器件应用价值的非晶硅薄膜,首先采用等离子体增强化学气相沉积系统获得非晶硅薄膜,之后用离子注入设备对该薄膜进行镍离子注入掺杂.用椭偏仪测试薄膜厚度,得知非晶硅薄膜厚度为200nm,且沉积工艺稳定.X射线衍射仪测试表明,所沉积的薄膜属于完全非晶态.用四探针薄膜电阻测试设备测试非晶硅薄膜的方块电阻,结果表明,当掺杂浓度为2.5×1019个/cm3,离子注入能量为35.2 keV时,掺杂后的非晶硅薄膜具有较好电学性质,TCR约为-0.7％,室温下的方块电阻为992 kΩ/□.
关键词:
非晶硅薄膜
,
离子注入
,
电学性质
马卫红
,
蔡长龙
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.05.024
采用直流磁控溅射方法在载玻片上制备钛钨合金热敏感薄膜,测试了所制备的钛钨合金热敏薄膜在不同温度下的方块电阻,并根据测试曲线计算薄膜的电阻温度系数(TCR).研究了工作气压、氩气流量以及溅射电流对钛钨合金膜TCR的影响,获得了最佳沉积工艺参数,即:溅射电流0.32 A,工作气压0.8 Pa,氢气流量60 cm3/min.在此参数下制备的钛钨合金膜TCR为0.2％/K.测试结果也表明钛钨合金膜的时间稳定性好.
关键词:
钛钨合金膜
,
磁控溅射
,
电阻温度系数
,
工艺参数
蔡长龙
,
王季梅
,
杭凌侠
,
严一心
,
徐均琪
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2002.03.003
采用脉冲真空电弧离子源镀制了类金刚石薄膜,研究了影响类金刚石薄膜硬度的各种因素,包括:基片温度、主回路电压、清洗时间、膜层厚度和脉冲频率等,分析了各种镀制参数对薄膜硬度的影响机理,找出了最佳镀制工艺参数.
关键词:
类金刚石薄膜
,
脉冲电弧
,
硬度
,
工艺参数
任雯
,
梁海锋
,
蔡长龙
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.007
采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件.在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化；进一步升高器件电压幅值,伏安特性呈明显的负阻特性,同时可以观测到表面电子发射,表面电子发射最大达到7.2μA,发射效率达到了0.094 3％,薄膜表面失色,产生明显的孔洞结构.根据F-N理论拟合器件电压和发射电流,所得Ie-Vf特性曲线呈直线,表明发射电子源于场致电子发射.
关键词:
碳钛颗粒膜
,
表面传导电子发射
,
伏安特性
,
场致发射
