薛小霜
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王芬
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朱建峰
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王志伟
,
崔珊
人工晶体学报
以Ga2O3为主要原料,通过氨气氮化反应合成了单相GaN粉体.利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050 ℃范围内,氮化温度和时间对产物的影响.结果表明:氮化温度在920 ℃以上时能够生成纯度较高的六方铅锌矿型GaN粉体,反应温度达到1000 ℃时,合成的粉体具有良好的结晶性能;当反应温度为1000 ℃,氮化时间为1.5 h时,所得样品发光性能优异.反应产物初始的平板和柱状结构显示了系统反应开始为气-固机制(V-S),但随时间的延长转变为以分解-重结晶为主导的合成机制,该机制使得粉体颗粒细化,并随着反应温度的提高以及氮化时间的延长,细化效果更加明显.
关键词:
GaN
,
热分解
,
重结晶
李栋
,
王芬
,
朱建锋
,
薛小霜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.016
以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒.采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征.研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成.XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好.光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰.中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用.
关键词:
微波水热
,
高温氨化
,
GaN
,
纳米棒
