薛昊
,
周和平
稀有金属材料与工程
以BaCO3,SrCO3,TiO2为原料,采用传统的固相反应方法制备BST粉体,采用传统烧结方法和放电等离子烧结(SPS)方法制备了钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3)陶瓷.并对两种方法制备的钛酸锶钡陶瓷的做了比较.研究了SPS烧结对BST陶瓷的微观结构以及介电性能的影响.结果表明:SPS方法使钛酸锶钡陶瓷的晶粒尺寸降低,介电常数降低,居里温度略有降低,由于SPS烧结速度快、时间短,烧结体内部微区成分起伏较高,立方-四方相变弥散性增加.
关键词:
钛酸锶钡
,
SPS
,
晶粒尺寸
薛昊
,
艾晨
,
王希林
,
王寒风
,
周和平
稀有金属材料与工程
采用固相反应法制备了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷,分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷在直流偏置电场下的介电调谐性能.采用XRD和SEM分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的相结构和微观形貌,采用HP4192A分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3介电-温度特性,采用同惠电子公司的TH2816精密电桥测量了介电可调性.结果表明:随着MnO2含量的增加,Ba0 6Sr0.4TiO3陶瓷的致密度和晶粒尺寸都呈现先增大再降低的现象.介电可调性随着MnO2的加入而降低.但品质因子随着MnO2含量的增加呈现先增加再降低的现象.当MnO2含量为4mol%时达到最大值55.1.
关键词:
Ba0.6Sr0.4TiO3
,
MnO2
,
可调性
薛昊
,
周和平
稀有金属材料与工程
钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)优异的介电性能使其在微波可调器件的应用中成为热门材料.以BaCO3,SrCO3和TiO2为原料,采用传统的固相合成方法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,以La2O3为添加剂在1400℃烧结成钛酸锶钡陶瓷.分析了La2O3添加剂对陶瓷的微观形貌、相组成以及介电性能的影响.XRD分析表明:La2O3能完全固溶到钛酸锶钡晶格中.掺杂后的陶瓷晶粒尺寸明显降低.掺杂了La2O3的钛酸锶钡的介电可调性有所增高.
关键词:
钛酸锶钡
,
La2O3
,
可调性
薛昊
,
艾晨
,
王希林
,
王寒风
,
周和平
稀有金属材料与工程
采用固相反应法制备了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷,分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷在直流偏置电场下的介电调谐性能.采用XRD和SEM分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的相结构和微观形貌,采用HP4192A分析了掺杂MnO2的Ba0.6Sr0.4TiO3介电-温度特性,采用同惠电子公司的TH2816精密电桥测量了介电可调性.结果表明:随着MnO2含量的增加,Ba0 6Sr0.4TiO3陶瓷的致密度和晶粒尺寸都呈现先增大再降低的现象.介电可调性随着MnO2的加入而降低.但品质因子随着MnO2含量的增加呈现先增加再降低的现象.当MnO2含量为4mol%时达到最大值55.1.
关键词:
Ba0.6Sr0.4TiO3
,
MnO2
,
可调性
王希林
,
薛昊
,
周和平
稀有金属材料与工程
采用溶胶凝胶法制备了钛酸锶钡超细粉体,在纯乙醇中配制成悬浮液,利用电泳沉积技术在印刷铂的氧化铝基板上沉积得到了BST厚膜.通过控制悬浮液中粉体的浓度和超声振荡实现了悬浮液的稳定.电泳沉积过程中通过改变电压和沉积时间研究了厚膜质量和厚膜的厚度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了沉积物的微观结构形貌,对沉积质量进行了对比研究.实验结果表明,当外加电场强度为20V/cm,沉积时间为30 s时得到的厚膜表面质量较好,厚度适合.实验发现1200℃烧结温度得到的厚膜致密度较好.X射线衍射分析(XRD)图谱表明烧结后得到的BST厚膜具有典型的钙钛矿结构.对厚膜的介电性能测试发现,BST厚膜有一定的介电性能,展示了BST材料的非线性特性.
关键词:
电泳沉积
,
BST厚膜
,
介电性能
艾晨
,
薛昊
,
周和平
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3粉体,分析了形成钛酸锶钡凝胶的影响因素,利用DTA,XRD和SEM手段分析了溶胶凝胶过程的反应情况、物相组成以及颗粒形貌.以溶胶-凝胶方法制备的粉体为原料制备了BST陶瓷材料,对陶瓷的介电性能做了研究.
关键词:
钛酸锶钡
,
溶胶凝胶
,
超细
李伟
,
熊兆贤
,
薛昊
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140255
片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应,用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义.通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能.其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时,降低了介电损耗,其值只有0.028,远低于其他报道的损耗值.同时,测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱,讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能.实验结果表明,通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗,这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性.
关键词:
钙钛矿
,
流延法
,
介电性能
,
晶界
