苏少坚
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汪巍
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胡炜玄
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张广泽
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薛春来
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左玉华
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成步文
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王启明
材料导报
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展.
关键词:
Ge1-xSnx合金
,
外延
,
分凝
成步文
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薛春来
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罗丽萍
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韩根全
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曾玉刚
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薛海韵
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王启明
材料科学与工程学报
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
关键词:
硅基
,
Ge
,
外延
