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薛智浩 , 孙友梅 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , 姚会军 , 莫丹 , 陈艳峰
原子核物理评论
对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.
关键词: 各向异性蚀刻 , 微孔阵列 , 电化学蚀刻
