虞玲
,
金德玲
无机材料学报
降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺寸. 因而，用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上，挑选了掺Dy的α-Sialon ，掺Y、La的α-Si3N4与以Al2O3为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构.发现α-Si3N4和α-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL)峰位都会向低能端漂移,峰位分别为: 84eV 和1613eV. Si--N--O的结合态又使Si(LVV)峰继续漂移到80eV左右. 掺Y、La的α-Si3N4的玻璃相区, Si至少以两种或者两种以上的化学态存在.掺Dy的α-Sialon陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同的晶间相. 另外, 在SiC与SiC-BN-C纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到从SiC基体拔出的纤维表面的大部分是残留的C层与C-BN交界层.
关键词:
俄歇分析， 高性能陶瓷
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
关键词:
包覆
,
phase homogeneity
,
size-distribution
,
disproportionation reaction
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
选用工业生产的纳米SiC粉料;利用歧化反应原理,分解出Cu颗粒,并与纳米SiC颗粒组成分散均匀的复合粉体;SEM和Auger电子探针形貌显示复合粉体颗粒呈球形;EDS、AES等检测结果表明,金属Cu颗粒包覆在纳米SiC颗料表面,从而使两相在纳米尺度范围内保持理想的均匀分散状态.
关键词:
纳米SiC
,
Cu
,
dispersion
,
disproportionation
虞玲
,
金德玲
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.024
降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该?类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺?寸. 因而，用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上，挑选了掺Dy的-Sialon ，掺Y、La的-Si3N4与以Al2O3为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构.?发现-Si3N4和-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL)峰位都会向低能端漂移,峰位分别为: 84eV 和1613eV. Si--N--O的结合态又使Si(LVV)峰继续漂移到80eV左右. 掺Y、La的-Si3N4的玻璃相区, Si至少以两种或者两种以上的化学态存在.掺Dy的-Sialon陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同?的晶间相. 另外, 在SiC与SiC-BN-C纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到?从SiC基体拔出的纤维表面的大部分是残留的C层与C-BN交界层.
关键词:
俄歇分析
,
高性能陶瓷
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.026
选用工业生产的纳米SiC粉料;利用歧化反应原理,分解出Cu颗粒,并与纳米SiC颗粒组成分散均匀的复合粉体;SEM和Auger电子探针形貌显示复合粉体颗粒呈球形;EDS、AES等检测结果表明,金属Cu颗粒包覆在纳米SiC颗粒表面,从而使两相在纳米尺度范围内保持理想的均匀分散状态.
关键词:
纳米SiC
,
Cu
,
分散
,
歧化反应
张锐
,
高濂
,
虞玲
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.039
利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
关键词:
包覆
,
分散均匀性
,
粒度分布
,
歧化反应
