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制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

袁慧敏 , 姜山 , 王文静 , 颜世申 , 萧淑琴

金属学报

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

关键词: 巨磁阻抗效应 , FeZrBNi sandwiched film , doping

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

袁慧敏 , 姜山 , 王文静 , 颜世申 , 萧淑琴

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.014

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

关键词: 巨磁阻抗效应 , FeZrBNi三层膜 , 掺杂

不同退火过程对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

王文静 , 袁慧敏 , 萧淑琴

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00721

用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04非晶软磁合金薄膜. 研究了不同退火条件对其巨磁阻抗(GMI)效应的影响. 该样品在自然退火和电流退火热处理后, 纵向GMI比下降, 并随退火电流的增加而增加, 在电流为800mA时达到最大值17%, 磁场灵敏度相对于未退火样品的4%(kA/m)-1有所提高, 达到7%(kA/m)-1. (Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04薄膜经不同温度下纵向磁场退火处理后, 样品的纵向和横向GMI比均有所提高, 在250℃获得最大的GMI比, 13MHz时, 最大纵向磁阻抗比达到17.5%, 表现为单峰; 横向磁阻抗比曲线变为双峰结构, 在±0.4kA/m的磁场下, 出现峰值为17.8%.

关键词: 铁基合金 , films , giant magneto-impedance effect , induced anisotropy

不同退火过程对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

王文静 , 袁慧敏 , 萧淑琴

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00721

用射频溅射法制各了(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04非晶软磁合金薄膜.研究了不同退火条件对其巨磁阻抗(GMI)效应的影响.该样品在自然退火和电流退火热处理后,纵向GMI比下降,并随退火电流的增加而增加,在电流为800mA时达到最大值17%磁场灵敏度相对于未退火样品的4%(kA/m)-1有所提高,达到7%(kA/m)-1.(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04薄膜经不同温度下纵向磁场退火处理后,样品的纵向和横向GMI比均有所提高,在2500℃最大的GMI比,13MHz时,最大纵向磁阻抗比达到17.5%,表现为单峰;横向磁阻抗比曲线变为双峰结构,在±0.4kA/m的磁场下,出现峰值为17.8%.

关键词: 铁基合金 , 薄膜 , 巨磁阻抗效应 , 感应各向异性

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