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TFT-LCD网点Mura的研究和改善

张定涛 , 李文彬 , 姚立红 , 郑云友 , 李伟 , 宋泳珍 , 袁明 , 张光明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0860

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08%.

关键词: 色斑 , 薄膜晶体管 , 非晶硅 , 缺陷分析

漂珠/AZ91D 镁合金复合材料的显微组织与力学性能

李景达 , 于思荣 , 刘恩洋 , 赵严 , 张善保 , 唐梦龙 , 袁明

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201603005

以 AZ91D 镁合金为基体,以不同粒径(45~128μm)的漂珠为颗粒增强相,采用搅拌铸造法制备了漂珠质量分数为0~10%的 AZ91D 镁合金基复合材料,并研究了复合材料的显微组织和力学性能.结果表明:复合材料中的漂珠分布均匀,主要由α-Mg、Mg17 Al12、Mg2 Si、MgO 等物相组成;复合材料的硬度随漂珠含量增加而增大;当漂珠的质量分数为6%、平均粒径为60μm 时,复合材料的硬度最高,为82.1 HBW;当漂珠的平均粒径为90μm、质量分数为6%时,复合材料的抗压强度最高,为348.3 MPa;复合材料的断裂方式是以解理断裂为主的脆性断裂,漂珠在复合材料断裂过程中发生破损.

关键词: 漂珠 , 镁基复合材料 , 颗粒增强 , 力学性能

PyC/SiC界面相对PIP法制备3D HTA C/SiC复合材料性能的影响

朱云洲 , 黄政仁 , 董绍明 , 袁明 , 江东亮

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2007.04.007

利用三维编织炭纤维预制件通过先驱体浸渍裂解法制备C/SiC复合材料.研究了热解碳(PyC)/SiC界面相对复合材料的微观结构和力学性能的影响.弯曲性能通过三点弯曲法测试,复合材料的断口和抛光面通过扫描电镜观察.结果表明:通过等温化学气相沉积法在纤维表面沉积PyC/SiC界面相以后,复合材料的三点抗弯强度从46 MPa提高到247 MPa.沉积界面的复合材料断口有明显的纤维拔出现象,纤维与基体之间的结合强度适当,起到了增韧作用;而未沉积界面相复合材料的断口光滑、平整,几乎没有纤维拔出,纤维在热解过程中受到严重的化学损伤,性能下降严重,材料表现为典型的脆性断裂.

关键词: C/SiC复合材料 , 界面相 , 力学性能 , PIP法

Al粉作为活性填料对PIP法SiCf/SiC复合材料性能的影响

朱云洲 , 黄政仁 , 董绍明 , 袁明 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00954

利用2.5D SiC纤维预制件, 通过前驱体浸渍裂解法(PIP法)制备SiCf/SiC复合材料, 通过在第一次浸渍浆料中加入活性Al粉和惰性颗粒SiC粉来提高浸渍效率. 研究了活性填料的加入以及纤维表面热解碳层的厚度对材料性能的影响. 结果表明, 由于Al粉在热解过程中与含碳有机小分子发生化学反应生成新的物相, 使得复合材料的力学性能得到了很大的提高, 在1200℃经过六个周期的浸渍裂解后, 复合材料的三点弯曲强度达到441MPa, 比例极限应力达到380MPa. 在200~500nm厚度范围内, 热解碳的厚度对复合材料的抗弯强度影响不明显. 复合材料的弹性模量随着热解碳层厚度的增加而降低.

关键词: SiCf/SiC复合材料 , reactive filler , polymer infiltration and pyrolysis , mechanical properties

Al作为活性填料对前驱体法复相陶瓷性能的影响

朱云洲 , 黄政仁 , 董绍明 , 袁明 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00959

采用微米级Al粉作为活性填料, SiC微粉作为惰性填料, 聚碳硅烷作为陶瓷前驱体制备SiC基复相陶瓷. 研究了热解温度和保温时间对陶瓷产率、线收缩率、力学性能以及微观结构的影响. 研究表明, 由于活性Al粉颗粒在热解过程中与含碳的有机小分子以及反应性气氛发生氮化和碳化反应, 产生体积膨胀效应, 热解陶瓷表现为小收缩、高产率, 可以满足近净尺寸成型的要求. 在1000℃热解保温1h, 线收缩率为0.08%, 陶瓷产率为99.68%, 材料的三点弯曲强度达到293MPa.

关键词: 陶瓷前驱体 , active filler , linear shrinkage , ceramic yield

围绕推动行业科技进步开展技术创新发展高新技术产业

刘良炎 , 袁明

材料导报

研究所转化为高新技术企业,关键是要使产业上规模.紧紧围绕推动行业的科技进步,开展技术创新,既解决了行业普遍存在的技术难题,同时也为自己创造了市场,是应用开发研究所发展高新技术产业上规模的有效方式.

关键词: 研究所转制 , 发展高新技术产业

采用Ag-Cu-In-Ti焊料连接碳化硅陶瓷

刘岩 , 黄政仁 , 刘学建 , 袁明

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00817

采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷. 研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响, 同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构, 并且探讨了连接的原理. 试验结果表明, 在700~780℃试验温度范围内, 碳化硅的连接强度存在峰值, 最高四点弯曲强度达到了234MPa, 但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势. 接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成, 连续致密的反应层紧密连接基体和焊料, 反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成, 带状层宽度约20nm, 由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成. 元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值, 活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.

关键词: Ag-Cu-In-Ti , SiC , joining strength , interface structure

Mg-2.6Sm-1.3Gd-0.6Zn-0.5Zr镁合金显微组织和力学性能研究

袁明 , 郑子樵

稀有金属材料与工程

研究了不同固溶处理工艺对Mg-2.6Sm-1.3Gd-0.6Zn-0.5Zr合金显微组织和力学性能的影响.合金的铸态显微组织主要由a-Mg和(Mg,Zn)3(Sm,Gd)1共晶相组成.510℃,4h为最佳固溶处理条件,晶界附近的共晶相几乎全部溶于镁基体中,合金固溶态的室温抗拉强度为246 MPa,延伸率为11.3%.合金200℃时效析出序列为Mgssss→β"(D019)→β'(bct)→β(fcc),峰时效态合金的屈服强度和抗拉强度达到185 MPa和282 MPa,延伸率为6.1%.

关键词: Mg-2.6Sm-1.3Gd-0.6Zn-0.5Zr合金 , 固溶处理 , 显微组织 , 力学性能 , 析出序列

温度脉冲方法制备碳/碳化硅复合材料界面的微观结构与性能研究

袁明 , 黄政仁 , 董绍明 , 朱云洲 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00305

采用温度脉冲化学气相渗透沉积的方法制备了碳/碳化硅复合材料界面. 以六甲基二硅胺烷(Hexamethyldisilazane , HMDS) 为前驱体, 以3k, 三维四向的石墨化碳纤维编织体为预制体, 通过强制流动热力学梯度化学气相渗透沉积的方法(FCVI)制备出密度为1.98g·cm-3的C f/SiC复合材料. 运用透射电子显微镜(TEM)对复合材料的界面微观结构进行了分析. 复合材料的平均弯曲强度为458MPa, 平均断裂韧性为19.8MPa·m1/2. 应用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的断裂形貌进行了分析研究.

关键词: C/SiC复合材料 , chemical vapor infiltration (CVI) , microstructure , fracture surface morphology

以HMDS为前驱体沉积SiC涂层的研究

朱云洲 , 黄政仁 , 董绍明 , 袁明 , 江东亮

稀有金属材料与工程

以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系.

关键词: 化学气相沉积 , SiC涂层 , HMDS

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