石富文
,
孟祥键
,
王根水
,
林铁
,
李亚巍
,
马建华
,
孙兰
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.018
采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT).PMZT薄膜具有优良的铁电性.在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为.这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的.当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小.在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小.瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值.样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性.在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加.
关键词:
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
王根水
,
于剑
,
赖珍荃
,
孟祥建
,
孙兰
,
郭少令
,
褚君浩
,
李刚
,
路庆华
功能材料
采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜-用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT-66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,P,=31.83μC/Cm2.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
前驱体
,
PZT50/50
,
铁电薄膜
王伟君
,
何俊
,
张克智
,
陶加华
,
孙琳
,
陈晔
,
杨平雄
,
褚君浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140309
采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜.XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-1处出现的较弱峰,分别为A1和B2振动模式,而Zn的掺入导致A1拉曼峰的宽化和蓝移;Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大,这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的;SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑.
关键词:
磁控溅射
,
铜铟锌硒
,
锌掺杂
张克智
,
陶加华
,
刘俊峰
,
何俊
,
董宇晨
,
孙琳
,
杨平雄
,
褚君浩
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.14065
采用溶胶-凝胶后硒化法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其薄膜表面平整、无裂纹。通过简化铜锌锡硫前驱体溶胶的制备以及后退火时避免使用硫化氢气体（H2S）等方法使铜锌锡硫硒薄膜的制备工艺得到简化。选用低毒有机物乙二醇为溶剂，Cu(CH3COO)2、Zn(CH3COO)2、SnCl2×2H2O和硫脲为原料,制备铜锌锡硫前驱体溶胶。XRD、Raman、EDX和SEM 分析表明制备的铜锌锡硫硒薄膜为锌黄锡矿结构,所有薄膜均贫铜富锌,用0.2 g硒粉、硒化20 min得到的铜锌锡硫硒薄膜其结晶较好,表面晶粒可达1.0μm左右。透射光谱分析结果表明,随硒含量的增加,铜锌锡硫硒薄膜的光学带隙从1.51 eV减小到1.14 eV。
关键词:
溶胶-凝胶
,
铜锌锡硫硒
,
薄膜
,
硒化
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
赵强
,
赖珍荃
,
黄志明
,
陈静
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.016
采用 LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在 350℃的 K9玻璃衬底上制备出了具有较好( 100) 择优取向的 LaNiO3薄膜.通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析, 发现薄膜厚度小于 100nm时为非晶结构,厚度大于 150nm后出现了具有( 100)择优取向的 LaNiO3 相.非晶结构的 LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的 LaNiO3薄膜具有类似于金 属的导电能力和光学特性.薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非 晶过渡层.
关键词:
LaNiO3薄膜
,
射频溅射
,
光学特性
,
表面电阻
赵强
,
褚君浩
功能材料
采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜.测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率.当Ni和La含量比＞1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性.随着La过量的减少,晶面间距和面电阻都减小的很快,在Ni和La比例达到1∶1时,电阻率达到了最小值6.4Ω*μm,晶面间距也达到最小值0.389nm.随着Ni过量的增加,晶面间距和面电阻又逐步增大.在Ni过量较多时导致了NiO相和LNO(110)取向的出现.在晶面间距相同时,相对于La,Ni含量的过剩对薄膜导电性能具有较大的影响.文中对实验现象从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了比较合理的解释.
关键词:
LaNiO3薄膜
,
导电性
,
晶格常数
郑卫民
,
褚君浩
,
陈良尧
,
王松有
功能材料
采用离子束溅射法制备了Co-Ag颗粒膜,并分别在100℃、250℃、400℃、500℃下进行了退火.利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量.对于CO20Ag80系列样品,随着退火温度的升高磁光克尔旋转角Θk增大,且在Ag的等离子振荡边附近出现了大的增强峰,峰的位置随退火温度的升高出现红移.通过理论计算分析,这种克尔效应的增强是Ag等离子振荡边作用结果.
关键词:
Co-Ag颗粒膜
,
磁光克尔效应
,
等离子振荡边
葛玉建
,
江锦春
,
邬云骅
,
潘健亮
,
王善力
,
褚君浩
人工晶体学报
采用双靶位共溅射方法制备出组分可控的Cd1-xZnxTe薄膜样品,组分偏离小于0.13.采用XRD对不同生长温度制备的样品进行了结晶性分析,研究了薄膜结晶与生长温度的关系.采用AFM、SEM对样品进行了表面和界面分析,表明薄膜表面平整,界面清晰.对不同组分的Cd1-xZnxTe样品进行了透射光谱测量,得到了光学性质随组分的变化规律,并拟合得出了这些样品的带隙和组分.
关键词:
Cd1-xZnxTe薄膜
,
磁控溅射
,
透射光谱
马建华
,
孟祥建
,
孙璟兰
,
褚君浩
无机材料学报
采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了含(117)成分的 c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3.25Nd0.75Ti3O12(BNT)薄膜.实验发现, BNT薄膜的晶 型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余 极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相 反. BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.
关键词:
BNT薄膜
,
crystallinity
,
ferroelectricity
,
anisotropy
