覃世杰
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黄凌雄
,
王金亮
,
周海涛
,
霍汉德
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张昌龙
,
周卫宁
人工晶体学报
采用水热法在双温区加热炉中以Z-切向晶片为籽晶生长了掺铌KTiOPO4单晶(Nb∶ KTP),得到尺寸为24.7mm×14.7 mm× 42.6 mm的透明晶体.研究了Nb∶ KTP水热条件下的生长习性和宏观、微观缺陷,通过其与纯KTP的透过谱的对比,对晶体质量进行了初步评估,与高质量的水热高抗灰迹KTP晶体有相当的质量.
关键词:
水热法
,
掺铌KTP晶体
,
形貌
,
缺陷
何小玲
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张昌龙
,
周海涛
,
左艳彬
,
覃世杰
,
王金亮
人工晶体学报
GaN作为性能最为优异的第三代半导体材料,其高质量的衬底材料的研发是目前乃至近5年的研究热点,而最好的衬底材料即为GaN体单晶.在为数不多的GaN体单晶的几种生长方法中,氨热法被普遍认为是生长GaN体单晶的一种很有前途的方法.本文主要论述了在不同矿化剂生长条件下GaN晶体的氨热法生长进展,指出了存在的问题,并给出了一些解决办法.
关键词:
氮化镓
,
氨热法
,
进展