解国新
,
丁建宁
,
范真
,
付永忠
,
杨继昌
材料导报
以GeSbTe及AgInSbTe等硫系合金化合物为载体,较全面地介绍了当前相变存储研究领域比较热门的几种存储方法,对各自的研究进展作了必要阐述,重点突出探针相变存储技术的研究方法,并对各种方法的优缺点进行了比较说明,同时结合自身研究实际,展示相变存储的研究方向和所取得的成果,并进一步列举了一些尚待解决的问题,指出了其今后发展的一般趋势.
关键词:
相变
,
信息存储
,
硫系化合物
范真
,
丁建宁
,
朱守星
,
解国新
,
凌智勇
,
杨平
材料导报
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方贩性的研究.比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨.试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除.
关键词:
AFM
,
信息存储
,
GeSbTe膜
