许士文
,
徐悟生
,
李宣东
,
徐玉恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.005
在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为～3mol%,In(3mol%):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.
关键词:
In:Er:LiNbO3
,
晶体生长
,
光损伤
,
阈值浓度
