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半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

张喜田 , 张伟力 , 高红 , 许武 , 秦伟平 , 张家骅 , 陈宝玖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.010

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光,首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷,探索了GaAs量子阱结构的发光机理。

关键词: 光致发光 , 激发光谱 , 量子阱 , 激光制冷 , 上转换

a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计

张彤 , 郭小军 , 赵毅 , 李春星 , 许武 , 王丽杰 , 刘式墉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.05.003

主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim-spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L-Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图.该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义.

关键词: 有机发光二极管 , 薄膜晶体管 , 有源驱动 , 布图 , 仿真

钒硼酸钇铕荧光粉的真空紫外光谱特性研究

赖华生 , 陈宝玖 , 王林生 , 许武 , 王晓君 , 谢宜华

功能材料

采用高温固相法合成了YBxV1-xO4-x:Eu3+荧光粉,利用XRD变温发射光谱以及真空紫外激发的光谱对其进行研究.结果表明,在147nm的真空紫外光激发下,荧光粉的发射主峰位于619nm,与(Y,Gd)BO3:Eu3+相比,色纯度较好,发光亮度达86%,是彩色PDP用红色荧光粉的候选材料.

关键词: PDP , 荧光粉 , 真空紫外光谱

ZnO∶Er薄膜的结构和发光特性研究

张喜田 , 高红 , 张伟力 , 袁斯伟 , 刘益春 , 许武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.013

本文研究了用电子束分蒸技术制备的ZnO∶Er薄膜的结构和发光特性.X射线衍射(XRD)谱表明,六角晶体结构的ZnO∶Er薄膜具有强的择优c轴取向(002).在室温下,用阴极射线激发样品,观测到强的蓝光(455nm)发射.本文认为,蓝光发射是ZnO∶Er薄膜中铒离子(Er3+)的激发态4F5/2到基态4I15/2的辐射跃迁.研究薄膜的阴极射线发光强度与电子束流的关系时发现,蓝光发射强度强烈地依赖于电子束流的大小.此外,超过阈值电子束流0.6μA,蓝光发射强度首先迅速增加,然后缓慢地增加,趋于饱和,根据瓶颈效应和稀土发光理论很好地解释了这一实验结果.

关键词: 电子束分蒸技术 , 光致发光 , 阈值电子束流 , 瓶颈效应

PVC/NBR/PMS多相聚合物膜的制备与离子导电性

邓正华 , 张晓正 , 许武 , 万国祥

高分子材料科学与工程

合成了含有丁腈橡胶(NBR)的甲基丙烯酸齐聚氧化乙烯酯(MEO12)与甲基丙烯酸己基磺酸锂(SHMALi)反相共聚胶乳,将反相共聚胶乳与聚氯乙烯(PVC)溶液共混浇铸成具有多相结构的聚合物膜.这种多相聚合物膜中含有高分子锂盐,用增塑剂增塑或吸收无机锂盐有机溶液则成为聚合物单离子导体或双离子导体,其室温电导率分别大于3.0×10-4S.cm-1和2.06×10-3 S.cm-1.膜中增塑的PVC连续相起到力学支撑体作用,因此增塑的多相聚合物离子导体具有大于9.8×105 Pa力学强度.

关键词: 多相聚合物膜 , 力学性能 , 导电性

共沉淀法制备Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉及其真空紫外光谱特性研究

赖华生 , 许武 , 王晓君 , 谢宜华 , 狄卫华 , 陈宝玖

功能材料

采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉,利用XRD,SEM以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究.结果表明:与高温固相合成法相比,共沉淀法制备的YP0 5Vo 5O4:Eu3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm的真空紫外光激发下的发光亮度提高了21%,荧光粉发射主峰位于619nm,与目前的商品红色荧光粉(Y,Gd)BO3:Eu3+相比,发光亮度达95%以上,并且色纯度好,是一种很有前途的彩色PDP用红色荧光粉.

关键词: 共沉淀法 , PDP , 荧光粉 , 光谱

稀土钒磷酸盐荧光粉的共沉淀法合成及光致发光

赖华生 , 陈宝玖 , 许武 , 王晓君 , 谢宜华 , 狄卫华

中国稀土学报

以稀土、钒的氯化物为原料, 以氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作复合沉淀剂, 采用共沉淀工艺合成了YP1-xVxO4∶RE3+ (RE=Sm, Eu, Dy, Tm, Er)荧光粉. 利用XRD, SEM, 紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行表征, 并探讨其实际应用的可能性. 结果表明, 共沉淀法合成的稀土钒磷酸盐荧光粉颗粒形貌规则、均一; YP0.2V0.8O4∶Eu3+荧光粉发射主峰位于619.5 nm, 是现有PDP商品(Y, Gd)BO3∶Eu3+荧光粉的良好替代品; 发射橙红光的YP0.4V0.6O4∶Sm3+荧光粉是价格低廉的稀土三基色灯用Y2O3∶Eu3+红粉的替代品; Dy3+, Tm3+共掺杂YP0.4V0.6O4可直接得到发白光的二基色灯用荧光粉.

关键词: 共沉淀法 , 钒磷酸盐 , 荧光粉 , 光致发光 , 稀土

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

殷景志 , 杜国同 , 龙北红 , 杨树人 , 许武 , 宣丽

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80~125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.

关键词: 应变补偿 , 偏振不灵敏 , 半导体光放大器

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

张彤 , 王丽杰 , 许武 , 郭小军 , 赵毅 , 刘式墉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.010

在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式.该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列.

关键词: OLED , a-Si TFT , 有源驱动 , 穿通效应 , 布图设计 , 仿真模拟

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