杨沛锋
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李开成
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何林
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刘道广
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张静
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李竞春
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谢孟贤
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杨谟华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.007
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
关键词:
锗硅材料
,
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
优化设计
