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Si（111）和Si（100）衬底上AlN薄膜的激光分子束外延生长特征

李雪飞 , 谢尚昇 , 何欢 , 符跃春

机械工程材料

采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜，研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明：低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量；激光能量为100mJ时，Si（111）衬底上的A1N薄膜呈单一的h-AlN（002）取向，Si（100）衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN（100）衍射峰，在700℃时呈微弱的h-AlN（002）取向；在Si（111）衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。

关键词: AlN薄膜 , 硅 , 激光分子束外延 , 晶体结构