谢林华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.04.002
掺V3+离子的ZnS晶体局部结构与光谱和顺磁共振(EPR)参量有关联.根据Sugano-Tanabe方案建立了d2/8电子强场45×45阶完全能量矩阵,由自旋哈密顿理论推导了EPR参量的计算公式,通过点荷-偶极子模型得到了离子簇局部Td对称结构与晶场参量的关系,基于半自洽场d轨道和完全对角化方法,从局部结构统一解释了ZnS:V3+的光谱和顺磁g因子,计算结果与实验符合.计算结果表明,ZnS:V3+的光谱和EPR谱可以在晶体场理论框架内得到理解.
关键词:
光谱学
,
光学和磁学性质
,
晶体场
,
顺磁g因子
,
ZnS
涂超
,
谢林华
,
杜香容
人工晶体学报
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量.本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制.计算结果与实验数据是一致的.说明电荷转移机制对(ZnKPO4·6H2O)∶VO2+晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用.
关键词:
自旋哈密顿参量
,
晶体场理论
,
电荷转移机制
,
(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+
