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射频磁控溅射制备Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的表面结构调控

王萍 , 李弢 , 谢波玮 , 古宏伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.026

研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响.实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400 ℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400 ℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺.介电性能测量表明,400 ℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04.

关键词: 射频磁控溅射 , Pt/Ti/SiO2/Si , BST薄膜 , 表面形貌

射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜

谢波玮 , 李弢 , 古宏伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.03.031

用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt/Ti/SiO2/Si(100)基体上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.通过引入溅射因子α,在相同工艺条件(高温大功率溅射)下,对靶材成分进行调整,使薄膜成分无化学计量比偏离.薄膜成相较未调整前有显著改善,低角区的衍射杂峰消失.{100}方向有择优生长,同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同,研究认为是成分调整后,薄膜成分无偏离所致.

关键词: 射频磁控溅射 , 铁电薄膜 , BST

非致冷红外焦平面阵列用铁电薄膜

谢波玮 , 李弢 , 古宏伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.01.021

在简要阐述红外成像发展现状基础上,系统介绍了铁电薄膜的性质、制备及在非致冷红外热成像系统应用中的一些热点问题.重点介绍当前有重大技术突破的介质测辐射热式焦平面探测器,比较了热释电模式、介电模式的优缺点及发展前景.由于介质测辐射热式信号获得方式较热释电式有较高的比探测率、响应率、成象精度和质量及较轻的体积和重量,可以预测在不断提高探测用铁电薄膜介电温度系数、损耗及大面积均匀性,不断改进其读出电路的基础上,将成为今后铁电非致冷红外热成像发展的主流.

关键词: 非致冷红外热成像 , 铁电薄膜 , 介电-温度响应 , 热释电性

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