樊东晓
,
姜广宇
,
戴春俊
,
谢涵卉
,
朱铁军
,
赵新兵
材料科学与工程学报
采取悬浮熔炼法制备Ge取代的高锰硅试样Mn（Si1-xGex1）.733（x取0.004,0.006,0.008,0.010,0.012）,采用甩带法得到快凝高锰硅合金粉末,XRD分析表明快速凝固能够减少MnSi金属相的含量,Ge对Si位的取代产生晶格畸变,使得衍射峰向低角区偏移;将悬浮熔炼和快速凝固所得试样进行放电等离子烧结,测试并比较其热电性能。结果显示,快速凝固有效地降低了材料的热导率,Ge取代则使得有效载流子浓度增加,提高了电导率,从而提高材料的热电性能。实验范围内,当Ge取代量x=0.010时,ZT值最高,悬浮熔炼试样在850K时ZT值为0.53,快速凝固试样在750K时ZT值达到0.55。
关键词:
高锰硅
,
Ge
,
快速凝固
,
放电等离子烧结
,
热电性能
