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硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究

张程浩 , 狄杰建 , 谭培培 , 李明勇 , 赵全亮 , 谭晓兰 , 王大伟

人工晶体学报

采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94% Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 (PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究.结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%.经过1010次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在104 s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化.该结果说明LaNiO3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能.

关键词: 锰铌锆钛酸铅 , 镍酸镧 , 铁电性能 , 磁控溅射

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