姚秀敏
,
谭寿洪
,
黄政仁
,
江东亮
稀有金属材料与工程
利用ξ电位、粘度、流变学测试等研究了碳化硅基粉体在硅溶胶中的分散行为.发现在pH=10左右,硅溶胶分散的陶瓷粉体具有绝对值最大的Zeta电位和最低的粘度,表明碳化硅等陶瓷粉体在硅溶胶中分散的最佳pH条件为pH=10左右.研究发现碳化硅等粉体在硅溶胶中分散性能受硅溶胶浓度的影响较大,其浆料粘度随硅溶胶浓度的增加而减小,在浓度为10%～20%(质量分数)达到最低,当浓度进一步增加时,其粘度呈现微小的增加.并同时研究了pH值、羧甲基纤维素添加量和固含量等对碳化硅基粉体制备的浆料的流变行为的影响.
关键词:
碳化硅
,
硅溶胶
,
分散
,
流变学
唐惠东
,
谭寿洪
材料导报
为了获得高质量的光学表面,采用RF磁控溅射法在RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆一层结构致密的PVD Si涂层.采用XRD、AFM和表面轮廓仪对抛光后的PVDSi涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率.结果表明,当RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆PVD Si涂层后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度的均方根RMS可达埃级,反射率提升幅度明显.并简单分析了反射率提高的主要原因.
关键词:
PVD Si涂层
,
RB SiC
,
SSiC
,
表面粗糙度均方根RMS
,
反射率
董绍明
,
陈忠明
,
谭寿洪
,
江东亮
,
郭景坤
无机材料学报
本文研究了高温等静压（HIP）后处理工艺对液相烧结SiC陶瓷的显微结构及力学性能的影响．实验表明，HIP后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变．Ar气氛条件下的HIP后处理可以提高液相烧结SiC的密度，减少或消除内部气孔等结构缺陷，但不引起晶粒的长大．N2条件下的HIP后处理除了具有Ar－HIP后处理的优点外，由于表面SiC与N2之间的反应生成的Si3N4可以有效地改善表面状态，从而达到表面改性，提高SiC陶瓷的力学性能．结构分析表明，经N2-HIP后处理，表面氮化层中晶粒细小，结构致密．同时，HIP后处理的效果还受液相烧结SiC陶瓷显微结构的影响，当液相烧结SiC的烧结温度较低，晶粒较细时，经HIP后处理，尤其是N2-HIP后处理，强度和韧性均有较大幅度的提高．
关键词:
液相烧结
,
null
,
null
,
null
,
null
朱新文
,
江东亮
,
谭寿洪
,
张兆泉
无机材料学报
采用一种具有三维网状结构和贯通气孔的有机泡沫体作为载体，首先利用有机泡沫浸渍工艺制备出高气孔率且几乎没有堵孔的网眼素坯，经过排塑、预烧处理获得具有一定强度的预制体．由于未经烧结，预制体的孔筋呈疏松多孔结构．利用粘度较低、流动性很好的浆料对预制体进行涂覆处理．结果表明：通过这种处理，孔筋上的裂纹被消除，非常细的孔筋被避免，孔筋厚度比较均匀，从而获得了结构非常均匀的网眼陶瓷．相对密度、孔筋厚度、孔径大小可以根据徐覆次数来调节．随着涂覆次数的增加，孔径减小，孔筋厚度增加，相对密度也增加．本工作为网眼陶瓷孔结构的精确设计提供了一种新工艺，对于优化其力学性能、渗透率等性能具有重要意义．
关键词:
多孔陶瓷
,
macrostructure
,
slurry
,
coating
唐惠东
,
孙媛媛
,
李龙珠
,
谭寿洪
硅酸盐通报
为了改善SSiC陶瓷反射率较低的情况,采用RF磁控溅射法在SSiC陶瓷表面涂覆了无定型Si-C-O-N涂层.借助XRD、FTIR、XPS等手段对涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率.结果显示:涂层主要由Si-N、Si-C和Si-O键组成,涂层抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度可达埃级,在可见光波段可将反射率的最低值提升至90%.并运用标量散射理论分析了反射率提高的主要原因.
关键词:
SSiC
,
Si-C-O-N涂层
,
反射率
,
标量散射理论
曾宇平
,
江东亮
,
谭寿洪
,
郭景坤
无机材料学报
利用流延成型工艺制备了Al2O3－TiC复相陶瓷薄膜．通过叠层、预压、脱粘和热压烧结工艺，制备了层状结构复相陶瓷．讨论了分散剂、pH值、固含量对浆料粘度的影响．用TGA分析了陶瓷膜的脱粘过程．用SEM和光学显微镜分析了素坯膜的微观形貌和材料在压应力作用下裂纹扩展情况．由于裂纹沿弱界面扩展使应力松弛，有效地提高了材料的断裂韧性和断裂功，为陶瓷的结构设计提供了一条新思路
关键词:
浆料
,
null
,
null
,
null
吴南春
,
夏义本
,
谭寿洪
,
刘健敏
,
苏青峰
,
王林军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00381
采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
preferential orientation
,
morphology
,
electrical properties
张景贤
,
江东亮
,
谭寿洪
,
归林华
,
阮美玲
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.055
本文采用国产的α-氮化硅粉(d50=1μm),测定了粉体的zeta电位.根据粉体的表面性质,选用聚丙烯酸钠作为分散剂,分析了pH值、分散剂对氮化硅粉体zeta电位以及浆料粘度的影响,确定了良好分散的Si3N4浆料的pH值和分散剂含量分别为10和1wt%.选用PVA为粘结剂,PEG为塑性剂,二者在浆料中的含量分别为5wt%和2.5wt%.最后,制备了氮化硅水基流延膜,并用SEM对得到的流延膜进行了表征.
关键词:
zeta
,
电位
,
分散剂
,
浆料
,
流延膜
