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掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究

郜小勇 , 林清耿 , 冯红亮 , 陈永生 , 杨仕娥 , 谷锦华 , 卢景霄

功能材料

采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键.

关键词: 氯化铵 , 掺铝氧化锌薄膜 , 表面织构

数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

苗丽燕 , 杨仕娥 , 李艳阳 , 陈永生 , 谷锦华 , 卢景霄

人工晶体学报

采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.

关键词: 微晶硅薄膜电池 , p/i界面 , 光电转换效率

射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

王秀娟 , 司嘉乐 , 杨德林 , 谷锦华 , 卢景霄

人工晶体学报

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.

关键词: ITO薄膜 , 射频磁控溅射 , 电阻率

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