王根水
,
于剑
,
赖珍荃
,
孟祥建
,
孙兰
,
郭少令
,
褚君浩
,
李刚
,
路庆华
功能材料
采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜-用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT-66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,P,=31.83μC/Cm2.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
前驱体
,
PZT50/50
,
铁电薄膜
赵强
,
赖珍荃
,
黄志明
,
陈静
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.016
采用 LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在 350℃的 K9玻璃衬底上制备出了具有较好( 100) 择优取向的 LaNiO3薄膜.通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析, 发现薄膜厚度小于 100nm时为非晶结构,厚度大于 150nm后出现了具有( 100)择优取向的 LaNiO3 相.非晶结构的 LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的 LaNiO3薄膜具有类似于金 属的导电能力和光学特性.薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非 晶过渡层.
关键词:
LaNiO3薄膜
,
射频溅射
,
光学特性
,
表面电阻
胡敏
,
刘莹
,
赖珍荃
,
刘倩
功能材料
采用磁控溅射法在硅基片表面沉积TiN薄膜,研究了溅射气压、氮气流量、氩气流量、溅射电流等溅射参数对TiN薄膜导电性能的影响.实验参数采用正交设计法选取,经模糊分析得出,所考察的因素对薄膜光催化性能的影响次序由大到小依次为溅射电流、气体流量、溅射气压.进一步研究影响最大的溅射电流对薄膜结构与电学性能的影响,结果发现:溅射电流的增大使溅射粒子的动能随之增大,薄膜生长加快;薄膜的电阻率存在最小值.
关键词:
磁控溅射
,
TiN薄膜
,
正交试验
,
溅射电流
胡敏
,
刘莹
,
赖珍荃
,
刘倩
,
朱秀榕
功能材料
采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3～0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.
关键词:
TiN薄膜
,
磁控溅射
,
氩气/氮气流量比
,
溅射气压
,
电学性能
