罗丽珠
,
陆雷
,
刘柯钊
,
赵东海
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130641
采用磁控溅射沉积方法在Si基底表面制备U2N3+xOy薄膜，采用X光电子能谱(XPS)分析技术观测CO气氛环境下 U2N3+xOy薄膜表面腐蚀行为，以期获得 U2N3+xOy薄膜在 CO 环境下的表面腐蚀机理。结果表明：超高真空条件下， CO在U2N3+xOy薄膜表面表现为氧化特性；CO在薄膜表面吸附解离生成的C以无定形碳形式聚集在薄膜表面，深度剖析过程中并未观察到C向U2N3+xOy薄膜内部扩散；而解离生成的氧在薄膜内扩散并发生氧化反应，生成高价氧化物或铀氮氧化物和氮。氧化反应生成的氮向薄膜内部扩散，并在次表面反应生成富氮中间产物。随着CO暴露反应进程的推进，富氮层逐渐向薄膜内部迁移，这是导致U4f谱卫星峰变化的主要原因。
关键词:
CO
,
U2N3+xOy
,
表面腐蚀
,
氧化
