王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
,
王春明
,
赵春华
,
高建鲁
功能材料
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.
关键词:
氧化银
,
二氧化锡
,
势垒
,
电学非线性
赵春华
,
严新平
,
周新聪
,
冯伟
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.z1.038
针对虚拟摩擦学研究中的基础困难,分析了复杂摩擦学系统的特性及其特性产生的原因,引入摩擦学系统特性和状态特性的概念,建立摩擦学研究单元本质和可视化的关系,提供数值模拟的思路,为实现虚拟摩擦学搭建基石.
关键词:
虚拟摩擦学
,
数值模拟
,
系统特性
,
状态特性
袁清习
,
赵春华
,
殷晓峰
,
罗卫平
,
徐军
,
潘守夔
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.010
用提拉法生长了质量较好的铁电-铁弹β′-Gd2(MoO4)3晶体.研究了晶体中包裹物的形成原因及晶体转速、提拉速度、温度梯度等对包裹物的影响,分析了晶体开裂的类型及克服的方法.指出了用提拉法生长高质量β′-Gd2(MoO4)3晶体的合适工艺参数.用偏光显微镜对晶体中的畴结构进行了观察,发现样品中存在宽畴和细畴两种类型,结合同一样品减薄实验确定了晶体中的宽畴为铁电畴,细畴为铁弹畴.
关键词:
提拉法晶体生长
,
铁电-铁弹晶体
,
铁电畴
,
铁弹畴
吴刚
,
赵春华
,
秦红玲
,
赵新泽
材料导报
多孔材料因具有特殊的性能而在某些领域得到深入研究与应用.国内外对多孔材料的摩擦学性能进行了一些研究,但对于多孔材料的摩擦磨损机制还处于探索阶段.着重介绍了陶瓷、金属及聚合物多孔材料摩擦磨损性能的相关研究,指出因材料制备的原因,多孔材料孔隙的均匀性难以得到保障,进而影响多孔材料的自润滑性能；此外对影响多孔材料摩擦磨损性能的其它因素,如多孔材料的孔隙率、孔径及润滑荆种类等方面的研究极为缺乏.最后展望了多孔材料在摩擦学研究上的发展趋势.
关键词:
多孔材料
,
摩擦
,
磨损
王矜奉
,
陈洪存
,
赵春华
,
高建鲁
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.010
研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂.晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小.随着Pb含量的增加,SnO2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50%Pb3O4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
关键词:
无机非金属材料
,
压敏电阻器
,
铅掺杂
,
二氧化锡
,
肖特基势垒
