赵智彪
,
齐鸣
,
朱福英
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.009
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量.
关键词:
氮化镓
,
RF-Plasma分子束外延
,
原子力显微镜
,
X射线衍射分析
,
缓冲层
赵智彪
,
齐鸣
,
朱福英
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.007
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.
关键词:
GaN
,
分子束外延
,
原子力显微镜
,
光辅助湿法刻蚀
,
极性
