曾庆明
,
徐晓春
,
刘伟吉
,
李献杰
,
敖金平
,
王全树
,
郭建魁
,
赵永林
,
揭俊锋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
关键词:
GaAs
,
HBT
,
微波单片集成电路
曾庆明
,
吕长志
,
刘伟吉
,
李献杰
,
赵永林
,
敖金平
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.
关键词:
GaN
,
HEMT
刘伟吉
,
曾庆明
,
李献杰
,
敖金平
,
赵永林
,
郭建魁
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015
发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4～5V.
关键词:
WN/W
,
难熔栅
,
CHFET
,
HIGFET
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00466
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜, 对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究. 结果表明, 该薄膜以钙钛矿形式存在. 快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量. 这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势. 随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少, 钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高. 薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时, 可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
dielectric properties
,
sol-gel method
,
phase formation
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.034
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜,对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究.结果表明,该薄膜以钙钛矿形式存在.快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量.这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势.随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少,钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高.薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时,可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
介电性能
,
溶胶-凝胶法
,
晶相形成
