章国强
,
黄靖云
,
亓震
,
卢焕明
,
赵炳辉
,
汪雷
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
关键词:
锗硅碳合金
,
应变弛豫
,
超高真空CVD
王维维
,
朱丽萍
,
叶志镇
,
王敬蕊
,
杨叶锋
,
何海平
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃.在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同.利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程.透射电镜图片显示了纳米棒与微米棒之间完美的外延关系.
关键词:
晶体外貌
,
外延生长
,
物理热蒸发
,
自组装
王亚东
,
黄靖云
,
叶志镇
,
汪雷
,
马德群
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:
超高真空化学气相沉积
,
实时B掺杂
,
硅外延
叶志镇
,
张昊翔
,
赵炳辉
,
王宇
,
刘红学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.001
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理.GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系:GaN<0001>∥Si<111>,GaN<110>∥Si<110>.GaN外延生长首先在硅衬底上形成GaN晶核,生长出GaN多晶缓冲层,GaN多晶层在随后的高温保温过程中重新结晶为择优取向的GaN微单晶层,最后以这种微单晶层为模板进行晶体大面积的二维生长.同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN外延层的结晶质量.
关键词:
氮化镓
,
硅基
,
外延
,
位相关系
,
生长机理
卢洋藩
,
叶志镇
,
曾昱嘉
,
陈兰兰
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
关键词:
p-ZnO
,
magnetron sputtering
,
codoping
卢焕明
,
叶志镇
,
黄靖云
,
汪雷
,
赵炳辉
无机材料学报
利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
关键词:
LiNbO3薄膜
,
transmission electron microscopy
,
pulsed laser deposition
马全宝
,
叶志镇
,
何海平
,
朱丽萍
,
张银珠
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01113
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜, 研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响. X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构. ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小, 随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小, 在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小, 晶粒尺寸最大. 薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大, 沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm. 此外, 所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
关键词:
ZnO:Ga
,
transparent conductive oxide film
,
magnetron sputtering
,
oxygen partial pressure
,
electrical and optical properties
孙伟峰
,
叶志镇
,
赵炳辉
,
朱丽萍
材料导报
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
关键词:
SiGe
,
双极
,
CMOS
,
射频
,
MSG
刘国军
,
叶志镇
,
吴贵斌
,
孙伟峰
,
赵星
,
赵炳辉
材料导报
SiGe/Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域.综述了SiGe/Si异质结材料的基本性质,SiGe/Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成.重点介绍了SiGe/Si光电探测器及其与其他相关器件的集成.
关键词:
SiGe/Si异质结
,
光电器件
,
光电集成
