葛永霞
,
常方高
,
李涛
,
路庆凤
,
李喜贵
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.099
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.
关键词:
MgB2超导体
,
正电子湮没
,
结构缺陷
路莹
,
张蕾
,
薛绛琴
,
路庆凤
低温物理学报
根据晶场理论,通过对D.Kaczorowski等人测量的磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2的晶场分裂能和相应波函数,对于CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2,它们的第一激发能和总的激发能分别为176K,855K和77.5K,428K.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了三个双重态,模拟得到的化合物的磁化率倒数与温度关系曲线与实验曲线吻合较好.
关键词:
Ce3Rh3Si2
,
CeRh3Si2
,
磁化率
,
晶场效应
张芹
,
朱亚彬
,
王淑芳
,
路庆凤
,
周岳亮
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.011
本文首次报道了利用电泳技术在铁和不锈钢基底上制备MgB2超导带材.电阻测量表明,沉积在铁和不锈钢基底上MgB2带材的超导零电阻转变温度分别为37.5K和31K,超导转变宽度分别为0.3K和1K.磁测量表明,(5K,OT)时不锈钢基底上带材的临界电流密度为6×105(A/cm2).X射线衍射谱和扫描电子显微镜图象表明样品结晶良好,晶粒生长致密.本工艺制备MgB2带材时不受系统真空度的限制,生长迅速,成本低廉,并且可以根据不同的需要任意选择基底的形状和大小.
关键词:
电泳
,
MgB2
,
带材
,
基底
路莹
,
路庆凤
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.007
本文测量了沿Nd3Co单晶b轴在不同压力下电阻率随温度的变化,并对Nd3Co的居里温度和磁性转变场随压力的变化规律进行了研究.结果表明:随着压力的增大,样品剩余电阻率逐渐减小,居里温度平均每GPa 升高2.1 K,磁性转变场平均每GPa增大0.9 T.通过对结果的分析,可以认为压力增大使样品中原子间距变小,晶粒间的连接更加紧密,导致电阻率减小;原子间距变小,4f电子和传导电子间的关联增强,导致样品中Nd离子磁矩的转向变得困难,从而磁性转变场增大.
关键词:
单晶Nd3Co
,
压力效应
,
电阻率
路庆凤
,
王艳文
,
霍德璇
,
孙培杰
,
石川义和
,
樱井醇児
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.002
我们以Cu替代Ni,制备了金属间化合物Ce(Ni-xCux)2Al3(x=0.0,0.1,0.2,0.3,0.4),利用粉末X射线衍射法(XRD)对样品进行了表征.电阻率ρ(T)和热电势S(T)测量结果表明,由于Cu替代Ni使得单胞体积和3d传导电子数目增加,4f电子与传导电子之间的杂化减弱.近藤温度T-K随着x的增加而降低,体系趋于形成重电子系统.
关键词:
金属间化合物,热电势,电阻率,粉末X射线衍射,Ce(Ni-xCux)2Al3,重电子系统
王艳文
,
胡保付
,
胡艳春
,
路庆凤
低温物理学报
我们在室温下对La2-xBaxCuO4（x=0．05，0．1，0．125，0．15，0．2）超导系列样品的正电子寿命谱（PAT）进行了测量，分析了正电子湮没机制与超导转变温度之间的关联，并从电子密度转移方面对La2-xBaxCuO4超导样品的转变温度被抑制的原因进行了解释．
关键词:
1/8反常现象
,
正电子寿命谱
,
超导电性
王海英
,
杜保立
,
李玉山
,
张星
,
李喜贵
,
路庆凤
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.029
我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.
关键词:
La2-xMxCuO4超导体
,
正电子寿命谱参数
,
掺杂
,
电子密度
