郑燕青
,
施尔畏
,
王绍华
,
陈辉
,
卢网平
,
孔海宽
,
陈建军
,
路治平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.
关键词:
双坩埚提拉法
,
近化学计量比
,
临界生长速率
,
组分过冷
崔素贤
,
郑燕青
,
施尔畏
,
路治平
,
仲维卓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.001
Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测方面有着广泛的应用.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论.荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为353nm,发射峰由391nm和425nm处两个峰组成,吸收谱则显示晶体在209～370nm之间具有多个吸收峰.
关键词:
Ce∶LSO
,
闪烁晶体
,
提拉法
,
激发发射谱
陈辉
,
郑燕青
,
路治平
,
崔素贤
,
王绍华
,
施尔畏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.012
本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析.我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体.
关键词:
近化学计量比
,
LiNbO3晶体
,
畴
,
形貌
陈辉
,
郑燕青
,
陈建军
,
路治平
,
王绍华
,
施尔畏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.023
本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析.结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的.由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法.
关键词:
双坩埚提拉法
,
化学计量比铌酸锂
,
机械双晶
,
组分过冷
,
包裹体
,
缺陷
郑燕青
,
陈建军
,
路治平
,
王绍华
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.002
采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体,并用腐蚀法观察了其电畴结构.结果表明,化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用,当Li2O含量处于49.4mol%附近时,晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴;当晶体中Li2O含量为49.7mol%时,晶体为完全单畴.本文对其形成机理进行了探讨,认为在由顺电相向铁电相转变时,局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关,z轴生长晶体时,由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响,所处温场固有温梯也随之不同,在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因.最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.
关键词:
LiNbO3晶体
,
化学计量比
,
电畴结构
,
机理
