林宏
,
袁望治
,
赵振杰
,
程金科
,
辛宏梁
,
吴志明
,
阮建中
,
杨燮龙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.029
用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
磁导率
,
弛豫频率
,
等效电路
辛宏梁
,
袁望治
,
赵振杰
,
程金科
,
阮建中
,
杨燮龙
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.04.014
用化学镀的方法制备了镀NiFeCoP膜的复合结构丝,这种复合结构丝在较低频率下就有较好的磁阻抗效应.对样品进行电流退火处理,不同电流密度退火对复合结构丝磁阻抗效应特性的影响不同.利用复数磁导率探讨了该复合丝在不同电流密度退火后的磁化过程和磁化频率特性,较大电流密度退火后复合结构丝的畴壁运动被抑制,减弱了动态磁化过程,降低了相应的磁阻抗效应.
关键词:
磁化
,
电流退火
,
磁阻抗效应
