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1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长

澜清 , 周大勇 , 孔云川 , 边历峰 , 苗振华 , 江德生 , 牛智川 , 封松林

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.009

通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰. 通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成.

关键词: InAs自组织量子点 , 循环生长 , 分子束外延 , 1.55μm波长

纳米ZnFe2O4气敏材料的结构和敏感特性研究

焦正 , 陈锋 , 李民强 , 刘锦淮 , 边历峰 , 钱逸泰

无机材料学报

ZnFe是传统的铁氧体材料,近年来又发现具有良好的气敏性能.本文采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸的ZnFe粉末,利用XRD、XPS、SEM等手段研究了结构特性.以ZnFe2O4纳米粉末为原料制备了厚膜气敏元件,测试了元件的气敏性能,并对气敏机理给予了解释.

关键词: 纳米材料 , gas sensitivity , coprecipitation

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

焦正 , 刘锦淮 , 边历峰 , 钱逸泰

功能材料

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4纳米晶.XRD、SEM和TEM结构分析结果表明,喷射共沉淀法制备的Zn-Ga2O4纳米晶颗粒细小均匀,形状完整.与化学共沉淀法相比,粒子尺寸明显减小,小于10nm,同时ZnO杂相峰消失.分析了喷射共沉淀法的机理,并对实验结果进行了解释.

关键词: 化学共沉淀 , 纳米晶 , ZnGa2O4

纳米ZnFe2O4气敏材料的结构和敏感特性研究

焦正 , 陈锋 , 李民强 , 刘锦淮 , 边历峰 , 钱逸泰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.022

ZnFe2O4是传统的铁氧体材料,近年来又发现具有良好的气敏性能.本文采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸的ZnFe2O4粉末,利用XRD、XPS、SEM等手段研究了结构特性.以ZnFe2O4纳米粉末为原料制备了厚膜气敏元件,测试了元件的气敏性能,并对气敏机理给予了解释.

关键词: 纳米材料 , 气敏 , 化学共沉淀

快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

边历峰 , 江德生 , 陆书龙

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.037

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成S-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态.

关键词: MBE , GaInNAs , 光致荧光谱(PL) , S-型温度依赖关系

SnO2气敏材料动态测试方法研究

焦正 , 边历峰 , 刘锦淮

功能材料

气敏材料的气敏特性来源于气体在材料表面的吸附和表面反应过程.传统的气敏材料测试方法仅仅测试材料在与气体接触前后电阻的变化,只能反映气体吸附的结果,而不能反映吸附和解吸的动态过程.本文提出了一种新的气敏材料测试方法,在间断加热的过程中测试气敏材料的动态特性.由于工作温度的变化,气敏材料的电阻按一定规律变化.不同气体在材料表面有不同的吸附机理和活化能,温度变化时气体在材料表面的反应平衡发生变化.根据这一原理可以得到气体的特征谱线,从而使气敏材料具有优良的选择性.

关键词: 气敏材料 , 活化能 , 选择性 , 动态特性

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