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MgB2超导薄膜的化学气相沉积

迟振华 , 王天生 , 漆汉宏 , 于栋利 , 何巨龙 , 刘世民 , 田永君 , 李东春

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2003.04.002

探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得薄膜的起始转变温度(TConset)为30 K,零电阻温度(TCO)为18 K.

关键词: 二硼化镁 , 超导薄膜 , 化学气相沉积 , 原位

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

王天生 , 田永君 , 于栋利 , 迟振华 , 胡前库 , 罗晓光

稀有金属材料与工程

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.

关键词: MgB2薄膜 , 微观结构 , 超导电性 , 热丝化学气相沉积

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