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原词结果 | 译词结果

硅单晶材料发展动态

邓志杰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.013

概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉硅单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势.

关键词: 直拉单晶 , 缺陷 , 完美硅 , 快速拉制 , 晶片加工

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

郑安生 , 钱嘉裕 , 韩庆斌 , 邓志杰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 单晶生长 , 位错

非晶硅太阳电池和全球太阳电池发电网

邓志杰 , 王雁

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.02.014

矿物燃料的大量使用加剧了全球环境恶化,采用以太阳能为主的清洁能源,建设全球太阳电池发电网将大大有利于世界各国的可持续发展.在实施这一重大工程中,非晶硅电池将以其独特优势可望成为主要候选者.

关键词: 环境 , 温室效应 , 非晶硅 , 太阳电池

掺锌(100) GaSb 单晶的生长

黎建明 , 屠海令 , 郑安生 , 邓志杰 , 罗志强

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.001

采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为 (2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于 3×1019cm-3 以后, GaSb 发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.

关键词: GaSb , 有效分凝系数 , 位错密度 , 简并

化合物半导体材料的光电应用现状

郑安生 , 邓志杰 , 俞斌才

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.031

在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景.量子结构光电器件由于具有一系列独特性能,将越来越受到重视.

关键词: 化合物半导体材料 , 光电器件 , 发光二极管 , 激光二极管 , 太阳电池 , 光探测器 , 量子结构

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